首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 LOW TEMPERATURE SELECTIVE EPITAXIAL GROWTH METHOD
摘要
申请公布号 JPH03255620(A) 申请公布日期 1991.11.14
申请号 JP19900054255 申请日期 1990.03.05
申请人 DAIDO SANSO KK 发明人 KUROMIYA SHIGERU;OKUMURA TAKESHI;OKUMURA KENJI;YOSHINO AKIRA
分类号 H01L21/205 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com