高光电转换效率的P-N结硅光电二极管

摘要

本发明涉及一种具有高光电转换效率的P-N结硅光电二极管器件，其特点是在P-N结附近的上方或下方存在一具有高热稳定性的缺陷层。由于缺陷层能吸收更多的光而产生更多的光生载流子，从而使这种P-N结硅二极管产生更大的光生电流，实现高的光电转换效率，提高光探测器的灵敏度和太阳能电池的效率。

主权项

1、一种用于光电转换的p-n结硅光电二极管，其特征在于在硅衬底表面附近形成的p-n结的上方或下方存在一具有高热稳定性的缺陷层。