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发明名称 BI-MOS SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
摘要
申请公布号 EP0452919(A3) 申请公布日期 1991.11.13
申请号 EP19910106210 申请日期 1991.04.18
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 HARA, HIROYUKI, C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIV.;SUGIMOTO, YASUHIRO, C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIV.
分类号 H01L27/06;H01L21/8249;H03K17/567;H03K19/013;H03K19/08;H03K19/0944;(IPC1-7):H03K19/094 主分类号 H01L27/06
代理机构 代理人
主权项
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