INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR,申请号JP19900049792-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR
摘要
申请公布号	JPH03252165(A)	申请公布日期	1991.11.11
申请号	JP19900049792	申请日期	1990.03.01
申请人	MATSUSHITA ELECTRON CORP	发明人	MIYANO MASAHIKO;UNO TOSHIHIKO
分类号	H01L29/78;H01L29/739	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
主权项
地址

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