SUBSTRATE STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

L'invention concerne un dispositif de mémoire à semiconducteurs qui est à l'abri des mauvais fonctionnements dans l'éventualité où un potentiel négatif externe (vin) serait appliqué à un circuit d'entrée, comme un circuit de mémoire intermédiaire d'entrée des données, au cours d'un test de fonctionnement. Une région de puits p (16) est formée sur un substrat de semiconducteurs du type n (11). Un potentiel (VBB) inférieur au potentiel d'entrée externe (Vin) est appliqué à la région de puits q (16). Deux couches sont formées: une première couche de type n à diffusion d'impureté (12) à laquelle on applique le potentiel d'entrée externe (Vin), et une deuxième couche de type n à diffusion d'impureté (13) à laquelle on applique un potentiel de référence (Vref). Le potentiel (VBB) appliqué à la région de puits est inférieur à Vin. Par conséquent, lorsque Vin est négatif, les porteurs minoritaires produits ne migrent pas dans la région de puits ayant un potentiel à forte énergie et ils ne pénétrent pas dans la deuxième couche difusée. Vref ne change donc pas et le dispositif continue à fonctionner correctement.