发明名称 NOVEL HARD CARBON NITRIDE AND METHOD FOR PREPARING SAME
摘要 <p>Novel crystalline α (silicon nitride-like)-carbon nitride and β (silicon nitride-like)-carbon nitride are formed by sputtering carbon in the presence of a nitrogen atmosphere onto a single crystal germanium or silicon, respectively, substrate.</p>
申请公布号 WO1991016196(A1) 申请公布日期 1991.10.31
申请号 US1991002647 申请日期 1991.04.22
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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