Process for obtaining resist structures.

摘要

Hochaufgelöste Resiststrukturen mit steilen Flanken werden - unter Verwendung üblicher Apparaturen - dann erhalten, und zwar bei hoher Empfindlichkeit, insbesondere im DUV-Bereich, wenn auf ein Substrat eine Photoresistschicht aus einem Anhydridgruppen und blockierte Imid- oder phenolische Hydroxylgruppen enthaltenden Polymer und einer photoaktiven Komponente in Form einer bei Belichtung eine starke Säure bildenden Verbindung aufgebracht wird, die Photoresistschicht bildmäßig belichtet wird, die belichtete Photoresistschicht mit einer wäßrigen oder wäßrig-alkoholischen Lösung eines polyfunktionellen Amino- oder Hydroxysiloxans behandelt wird, und die derart behandelte Photoresistschicht in einem sauerstoffhaltigen Plasma geätzt wird.