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<P>Un transistor à effet de champ avant une grille (2) asymétrique comprend des régions de source et de drain (4, 5) à concentration élevée. La région de drain a une plus faible profondeur et une plus faible concentration que la région de source, et elle est plus éloignée de l'électrode de grille. On peut ainsi obtenir un transistor à effet de champ idéal, ayant un effet de canal court réduit, une faible résistance de source et une transconductance élevée.</P>
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