发明名称 双直流等离子体化学气相沉积装置
摘要 本发明为一种双直流等离子体化学气相沉积装置,在现有直流等离子体化学气相沉积的基础上,增设一套对工件加热的电极,使镀膜时,工件的温度参数摆脱了其它参数的限制,实现了各参数的独立控制,从而使不同形状、不同体积的工件均能得到均匀的加热温度,避免了膜层脱落,污染和出现针孔等现象,使膜层的性能得到改善,同时使工作电压能够始终保持在辉光放电阶段,不会由于产生弧光而使膜层形成熔斑,镀膜参数的调整和确定也得到简化。
申请公布号 CN1055565A 申请公布日期 1991.10.23
申请号 CN90105087.3 申请日期 1990.04.07
申请人 李孟春;赵乃石 发明人 李孟春;赵乃石;赵小军;王京国
分类号 C23C16/50 主分类号 C23C16/50
代理机构 沈阳市专利事务所 代理人 于菲
主权项 1、一种双直流等离子体化学气相沉积装置,它包括真空室、与真空室相联的真空系统和充气系统,安装在真空室内并与真空室相绝缘的工件架,工件架接电源负极,真空室或一独立阳极板接电源正极,其特征是真空室内工件外围设有辅助电极并设有辅助直流电源。
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