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发明名称 INSULATED GATE TRANSISTOR OPERABLE AT A LOW-DRAIN-SOURCE VOLTAGE
摘要
申请公布号 US5060032(A) 申请公布日期 1991.10.22
申请号 US19900611453 申请日期 1990.11.13
申请人 NEC CORPORATION 发明人 OGAWA, KENJI
分类号 H01L29/78;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/68;H01L29/739;H01L29/8605 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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