发明名称 NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF
摘要
申请公布号 JPH03230576(A) 申请公布日期 1991.10.14
申请号 JP19900025218 申请日期 1990.02.06
申请人 TOSHIBA CORP 发明人 NAKAYAMA RYOZO
分类号 H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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