| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN CIRCUIT INTEGRE COMPRENANT DES TRANSISTORS MOS MOYENNE TENSION |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2624653(B1) |
申请公布日期 |
1991.10.11 |
| 申请号 |
FR19870017782 |
申请日期 |
1987.12.14 |
| 申请人 |
SGS THOMSON MICROELECTRONICS SA |
发明人 |
PHILIPPE BOIVIN |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/266;H01L21/762;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/82;H01L21/265 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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