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发明名称 FABRICATION METHOD FOR BIMOS SEMICONDUCTOR DEVICE WITH IMPROVED SPEED AND RELIABILITY
摘要
申请公布号 EP0435257(A3) 申请公布日期 1991.10.09
申请号 EP19900125507 申请日期 1990.12.27
申请人 OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., LTD. 发明人 TSUBONE, KO, OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., LTD.;UMEMURA, YOSHIO, OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., LTD.;SHIMODA, KOUICHI, OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., LTD.
分类号 H01L29/73;H01L21/285;H01L21/331;H01L21/8249;H01L27/06;H01L29/732;(IPC1-7):H01L21/82 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
主权项
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