Process and apparatus for forming a titanium nitride layer by chemical vapour depositing for highly integrated circuits.

摘要

Zur Herstellung von Titannitrid-Schichten, die als Haft-, Kontakt- und Barriere-Schichten in höchstintegrierten Schaltungen verwendet werden, wird ein chemischer Dampfphasenabscheideprozeß in einer Mehrkammer-Hochvakuumanlage eingesetzt, wobei durch die Wahl einer stickstoffhaltigen organischen Titan-Verbindung als Ausgangssubstanz und den Einsatz von thermischer, optischer und/oder Plasma-Anregung eine Schichtabscheidung auch bei niedrigen Temperaturen im Bereich 200 - 550° C ermöglicht wird. Die erhaltenen Schichten zeichnen sich durch eine hohe Kantenbedeckung auch bei engen Kontaktlöchern sowie durch gute elektrische und chemische Eigenschaften aus. Eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens besteht aus einer Mehrkammer-Hochvakuumanlage, deren Kammern (1 - 6) durch Hochvakuumschleusen (7) verbunden sind, so daß eine besonders vorteilhafte Kombination mehrerer, unterschiedlicher Prozesse ohne Unterbrechung der Hochvakuum-Bedingungen möglich ist.