Appareil de fabrication d'un monocristal de silicium de grand diamètre d'après le procédé Czochralski, où des ouvertures appropriées (11) sont ménagées sur le couvercle préservant la chaleur (10) afin d'éviter une influence indésirable causée par les gaz atmosphériques. L'appareil a la particularité que la somme des superficies des ouvertures (11) est plus grande que la superficie de la fente (18) formée entre le rebord inférieur du couvercle préservant la chaleur (10) et le niveau de la solution de silicium, et que ledit couvercle et l'élément d'isolation thermique (12) sont composés de tôle.
