发明名称 VOLTAGE LEVEL TRANSLATION CIRCUIT
摘要
申请公布号 EP0417895(A3) 申请公布日期 1991.10.02
申请号 EP19900308180 申请日期 1990.07.25
申请人 SAMSUNG SEMICONDUCTOR, INC. 发明人 CHANG, SHUEN-CHIN
分类号 H03K19/003;H03K19/0185;(IPC1-7):H03K19/018 主分类号 H03K19/003
代理机构 代理人
主权项
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