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经营范围
发明名称
VOLTAGE LEVEL TRANSLATION CIRCUIT
摘要
申请公布号
EP0417895(A3)
申请公布日期
1991.10.02
申请号
EP19900308180
申请日期
1990.07.25
申请人
SAMSUNG SEMICONDUCTOR, INC.
发明人
CHANG, SHUEN-CHIN
分类号
H03K19/003;H03K19/0185;(IPC1-7):H03K19/018
主分类号
H03K19/003
代理机构
代理人
主权项
地址
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