发明名称 | 光接收元件 | ||
摘要 | 提供了一种改进的,由基底和光接收层组成的光接收元件,光接收层由具有光导导性的第一层和第二层组成,第一层由含有作为主要组分原子的硅原子和锗原子的非晶材料构成,第二层由含有硅原子、碳原子和一种导电性控制元素的非晶材料构成;第一层中所含的锗原子在整个层区或邻接基底的部分层区内处于非均匀分布状态。第一层可在整个或部分层区内包含一或多种从导电性控制元素、氧原子和氮原子中选出的元素。 | ||
申请公布号 | CN1014185B | 申请公布日期 | 1991.10.02 |
申请号 | CN87100556.5 | 申请日期 | 1987.02.07 |
申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 白井茂;大野茂 |
分类号 | G03G5/082;G03G5/14 | 主分类号 | G03G5/082 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 李强 |
主权项 | 1.包括基底和淀积在该基底上的光接收层的光接收元件,所述光接收层包括(a)具有光电导性的1至100μm厚的第一层和(b)0.003至30μm厚的从基底数起的第二层;所述第一层(a)包括(i)含有作为主要成分的硅原子的非晶材料,(ii)1至6×105原子ppm的锗原子,(iii)由氢原子及卤素原子中选出的总量为0.01至40原子%至少一种原子,(iv)从周期表第III族或V族元素中选出的导电性控制元素,以及(v)从由氧原子和氮原子构成的组中选出的至少一种原子,其中所述锗原子在厚度方向的分布使其浓度在邻近基底处增加而在靠近与所述第二层(b]的界面处减小或近器为零,其中所述第二层(b)包括:(b-i)含硅原子的非晶材料,(b-ii)0.001至90原子%的碳原子,以及(b-iii)1.0至1×104原子ppm的从周期表第III或v族元素中选出的至少一种原子,而且不含锗原子。 | ||
地址 | 日本东京 |