| 摘要 |
La présente invention se rapporte à une diode électroluminescente qui est constituée en carbure de silicium et qui émet une lumière visible d'une longueur d'onde comprise entre environ 465 et 470 nanomètres ou entre environ 455 et 460 nanomètres ou entre environ 424 et 428 nanomètres. Cette diode comprend un substrat en carbure de silicium alpha ayant un premier type de conductivité, ainsi qu'une première couche épitaxiale en carbure de silicium alpha placée sur le substrat et ayant le même type de conductivité que le substrat. Une seconde couche épitaxiale en carbure de silicium alpha est placée sur la première couche épitaxiale, présente le type de conductivité opposée par rapport à la première couche et forme une jonction p-n avec la première couche épitaxiale. Dans les modes de réalisation préférés, les première et seconde couches épitaxiales présentent des concentrations des porteurs suffisamment différentes entre elles pour que la quantité du courant de trous et du courant d'électrons qui traverse la jonction dans des conditions de polarisation soit différente d'une couche à l'autre et pour que la majeure partie des évènements de recombinaison se produisent dans la couche épitaxiale désirée. |
