METHOD FOR THE FABRICATION OF SELF-ALIGNED BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURES WITH REDUCED BASE RESISTANCE,申请号EP19860116736-传众专利搜索

发明名称	METHOD FOR THE FABRICATION OF SELF-ALIGNED BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURES WITH REDUCED BASE RESISTANCE
摘要
申请公布号	EP0226890(B1)	申请公布日期	1991.10.02
申请号	EP19860116736	申请日期	1986.12.02
申请人	SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT	发明人	BOEHM, WILLI, DR.;SCHABER, HANS-CHRISTIAN, DR.
分类号	H01L29/73;H01L21/285;H01L21/331;H01L21/60;H01L29/732	主分类号	H01L29/73
代理机构		代理人
主权项
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