| 发明名称 |
PROCESS TO MAKE GROOVES IN SILICON SUBSTRATES FOR HIGH DENSITY INTEGRATED CIRCUITS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0439727(A3) |
申请公布日期 |
1991.10.02 |
| 申请号 |
EP19900123221 |
申请日期 |
1990.12.04 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
ENGELHARDT, MANFRED, DR. |
| 分类号 |
C23F4/00;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/76;(IPC1-7):H01L21/306 |
主分类号 |
C23F4/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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