发明名称 METODO Y APARATO PARA LLENAR VIAS DE ALTA DENSIDAD EN SUSTRATOS DE MATERIAL DIELECTRICO.
摘要 METODO Y APARATO PARA LLENAR VIAS DE ALTA DENSIDAD EN SUSTRATOS DE MATERIAL DIELECTRICO. EL METODO COMPRENDE PROPORCIONAR PASTA METALICA SOBRE UNA PRIMERA SUPERFICIE DEL SUSTRATO, APLICAR VACIO A CADA VIA EN LA SEGUNDA SUPERFICIE DEL SUSTRATO, Y APLICAR PRESION A LA PASTA METALICA SOBRE LA PRIMERA SUPERFICIE DEL SUSTRATO, SIMULTANEAMENTE CON LA APLICACION DE VACIO. EL APARATO COMPRENDE MEDIOS PARA SOPORTAR EL SUSTRATO, UNA CAMARA DE PRESION QUE TIENE UNA PORCION DE LA MISMA DEFINIDA POR LA PRIMERA SUPERFICIE DEL SUSTRATO, MEDIOS PARA PROPORCIONAR GAS A ELEVADA PRESION A LA CAMARA DE PRESION, UNA CAMARA DE VACIO QUE TIENE UNA PORCION DE LA MISMA DEFINIDA POR LA SEGUNDA SUPERFICIE DEL SUSTRATO, Y MEDIOS PARA APLICAR VACIO EN DICHA CAMARA DE VACIO.
申请公布号 ES2020843(A6) 申请公布日期 1991.10.01
申请号 ES19900000322 申请日期 1990.02.02
申请人 AMDAHL CORPORATION 发明人 LYNCH JOHN F.
分类号 H01L21/48;H01L23/50;H01L23/52;H05K1/03;H05K1/09;H05K3/38;H05K3/40;(IPC1-7):H05K3/40;B22F7/00 主分类号 H01L21/48
代理机构 代理人
主权项
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