发明名称 |
DISPOSIZIONE CIRCUITALE PER PREVENIRE FENOMENI DI INNESTO IN TRANSISTORI PNP VERTICALI CON COLLETTORE ISOLATO |
摘要 |
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申请公布号 |
IT9019862(A1) |
申请公布日期 |
1991.09.30 |
申请号 |
IT19900019862 |
申请日期 |
1990.03.29 |
申请人 |
SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L. |
发明人 |
BERTOTTI FRANCO;FERRARI PAOLO |
分类号 |
H01L27/06;H01L;H01L21/331;H01L27/02;H01L29/73;H01L29/732 |
主分类号 |
H01L27/06 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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