发明名称 | 智能高压大功率器件 | ||
摘要 | 智能高压大功率器件是一种具有自动限流保护的高压大功率VDMOS器件,由高压大功率分源VDMOSFET、电阻和过流限制器件组成,过流限制器件可以由双极型晶体管或MOS管构成,整个器件制作在同一硅片衬底上,可采用常规的VDMOSFET工艺实现,它既保持了高压大功率VDMOSFET的特性,又具有自动过流保护功能,大大提高了器件的可靠性,有利于简化器件应用电路,提高整机的可靠性,降低整机的成本。 | ||
申请公布号 | CN2085564U | 申请公布日期 | 1991.09.25 |
申请号 | CN91213190.X | 申请日期 | 1991.02.07 |
申请人 | 东南大学 | 发明人 | 茅盘松;朱静远 |
分类号 | H01L27/088 | 主分类号 | H01L27/088 |
代理机构 | 东南大学专利事务所 | 代理人 | 楼高潮;柯景凤 |
主权项 | 1、一种具有自动限流保护的高压大功率VDMOS器件,由高压压大功率分源VDMOSFET、电阻和过流限制器件T组成,其特征在于VDMOSFET的栅引出端G与栅极G′间设有串联电阻R1,分源端S2通过电阻R2与源引出端S相连接,过流限制器件的三端分别与G′、S2和S相连接。 | ||
地址 | 210018江苏省南京市四牌楼2号 |