| 发明名称 |
Ultra high speed memory having a drain voltage limiter for cells. |
| 摘要 |
<p>Une mémoire programmable électriquement et effaçable comportant peu de cellules est ultra-rapide en lecture et fiable en utilisant un limiteur de tension (Lim) qui réduit l'excursion de tension de drain des cellules mémoire. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP0447277(A1) |
申请公布日期 |
1991.09.18 |
| 申请号 |
EP19910400335 |
申请日期 |
1991.02.12 |
| 申请人 |
SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.A. |
发明人 |
DEVIN, JEAN;YERO, EMILIO;COSTABELLO, CLAUDE |
| 分类号 |
G11C7/12;G11C16/24;G11C16/26 |
主分类号 |
G11C7/12 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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