首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH03209878(A) 申请公布日期 1991.09.12
申请号 JP19900005505 申请日期 1990.01.12
申请人 NEC CORP 发明人 KAYAMA CHIZURU
分类号 H01L27/04;H01L29/78 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com