发明名称 |
无稀土低磁矩磁光材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明属于磁性材料及其制备方法,特别是制备用于光通讯,光学测量系统中的磁光材料及其制备该材料的专用方法领域,该材料组成为{Bi<SUB>3-2K</SUB>Ca<SUB>2K</SUB>}[Fe<SUB>2-Y</SUB>M<SUB>Y</SUB><SUP>1</SUP>](Fe<SUB>3-K</SUB>M<SUB>X</SUB><SUP>2</SUP>)O<SUB>12</SUB>,采用无铅助熔剂方法制备。其单晶磁矩低0-640Oe,磁光性能好,该方法操作简单,而且去掉铅的污染。 |
申请公布号 |
CN1054503A |
申请公布日期 |
1991.09.11 |
申请号 |
CN90100951.2 |
申请日期 |
1990.02.28 |
申请人 |
中国科学院物理研究所 |
发明人 |
李顺方;张鹏翔;刘玉龙 |
分类号 |
H01F1/10;H01F41/02;G02B1/02 |
主分类号 |
H01F1/10 |
代理机构 |
中国科学院物理研究所专利办公室 |
代理人 |
高存秀 |
主权项 |
1、一种含铋的铁石榴石磁光单晶材料,其特征在于: 由{Bi3-2xCa2x}[Fe2-yM1y](Fe3-xM2x)O12组成, 其中M1=In.Ge,M2=V.Ga, Y=0-0.4,X=0.8-1.35 |
地址 |
100080北京市603信箱 |