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Schlüsselwörter Abscheidung, LPVD-Anlagen, Röntgenoptik, Mikroelektronik, Target, gekrümmte Oberfläche, Relativbewegung, Strahlfokus, Symmetrieachse der Plasmafackel, Substratnormale, Manipulator, Rezipient Verfahren zur Abscheidung dünner und dünnster Schichten Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abscheidung dünner und dünnster Schichten mittels LPVD. Objekte, auf die sich die Erfindung bezieht, sind LPVD-Anlagen zur Herstellung dünner und dünnster Schichten, insbesondere in den Gebieten der Röntgenoptik und der Mikroelektronik. Erfindungsgemäß werden bei dem Verfahren zur Abscheidung dünner und dünnster Schichten mittels LPVD Targets mit gekrümmter Oberfläche eingesetzt, und es erfolgen eine Relativbewegung von Laserstrahlfokus und Targetoberfläche, eine Verkippung der Symmetrieachse der Plasmafackel (Strahlachse) und der Substratnormalen gegeneinander durch entsprechende Target- und/oder Substratbewegung und die Targetbewegung durch X-Y-Verschiebung mittels Manipulator von außerhalb des Rezipienten und eine damit gekoppelte erzwungene Bewegung in Z-Richtung z. B. durch Schablone, die die infolge X-Bewegung hervorgerufene Abweichung der Targetoberfläche aus dem Laserstrahlfokus kompensiert.
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