太阳能电池及硅器件化学镀镍方法

摘要

太阳电池及硅器件化学镀镍的方法，本发明屡半导体工艺。以光刻胶直接作为硅片表面的掩蔽涂层，掩模光刻，带胶化学镀镍形成斯需的接触电极取代黑胶掩敷工艺，可一步实现太阳能电池正面栅电池和背电池以及硅器件选择性电极的制造。

主权项

1.太阳能电池及硅器件化学镀镍的方法，其特征是先将光刻胶涂敷在经前处理后欲施镀的硅片表面，甩胶，前烘(用电吹风吹干)，掩模光刻，太阳光下爆光，再置于丁酮溶液中显影，在红外灯下烘烤坚膜，然后置于预先配制好的化学镀镍液中施镀，施镀条件为PH值8.5-9.5，温度83-87℃，时间6-8分钟，然后取出硅片置氮气氛中250℃烘烤30分钟。再置于等离子去胶机中除掉光刻胶然后浸锡。