| 摘要 |
Des dispositifs (100) ondulatoires à électrons et à trous relatifs aux semiconducteurs et à la mécanique quantique, formés par des superstructures (120), assurent entre autres choses une sélectivité d'énergie pour la propagation d'ondes balistiques à électrons et à trous dans les superstructures à des énergies supérieures à celles des barrières d'énergie de potentiel desdites superstructures. Les dispositifs sont élaborés en transformant des modèles pour filtres optiques à couche mince en modèles pour dispositifs à semiconducteurs. La transformation, pour des dispositifs ondulatoires à électrons, consiste à transformer par une représentation graphique l'indice de phase optique en un indice de phase de semiconducteurs proportionnel à la racine carrée du produit de l'énergie cinétique des électrons et de la masse effective des électrons, et à transformer par une représentation graphique l'indice d'amplitude optique en un second indice d'amplitude de semiconducteurs proportionnel à la racine carrée de l'énergie cinétique des électrons divisée par la masse effective des électrons. Un mode de réalisation est un filtre/émetteur (1100) syntonisable, polarisé, à superstructure, à semiconducteurs et à interférence d'électrons pouvant servir par exemple d'émetteur chaud dans un transistor balistique. Un autre mode de réalisation est un guide d'ondes (2100) doté d'une plaque à semiconducteurs, à puits quantique, à électrons ou à trous, comportant une couche (2200) semiconductrice faisant office de substrat, une couche (2201) semiconductrice mince, ainsi qu'une couche (2202) semiconductrice de couverture. |
