Process for determining the relation between the substrate damage and the parameters of a dry-etching process.

摘要

Zur Ermittlung eines Zusammenhangs zwischen einer Substratschädigung und Prozeßparametern für einen Trockenätzprozeß wird mindestens eine unbehandelte Halbleiterscheibe dem Trockenätzprozeß unterzogen, wobei die Prozeßparameter für stabile Prozeßbedingungen eingestellt werden. In der Oberfläche der Halbleiterscheibe werden berührungslos Temperatur- und Plasmawellen angeregt. Die Stärke ▵ TW der Wechselwirkung der Temperatur- und Plasmawellen mit der Oberfläche der Halbleiterscheibe, die ein Maß für Substratschädigungen darstellt, wird berührungslos gemessen. Das Verfahren ist insbesondere zur Ermittlung von hinsichtlich minimaler Substratschädigung optimalen Prozeßparametern für einen Silizium-Trockenätzprozeß anwendbar. <IMAGE>