首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 FORMATION OF POLY-CRYSTALLINE SILICON
摘要
申请公布号 JPH03200319(A) 申请公布日期 1991.09.02
申请号 JP19890340117 申请日期 1989.12.27
申请人 NEC CORP 发明人 HAMADA KOJI
分类号 H01L23/52;H01L21/20;H01L21/283;H01L21/3205;H01L21/324;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786 主分类号 H01L23/52
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com