发明名称 MANUFACTURE OF MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH03196638(A) 申请公布日期 1991.08.28
申请号 JP19890337735 申请日期 1989.12.26
申请人 SHARP CORP 发明人 IGUCHI KATSUJI
分类号 H01L29/78;H01L21/265;H01L21/336 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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