| 发明名称 |
IMPROVED (RIE) PLASMA ETCH PROCESS FOR MAKING METAL-SEMICONDUCTOR OHMIC TYPE CONTACTS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0219465(B1) |
申请公布日期 |
1991.08.28 |
| 申请号 |
EP19860830254 |
申请日期 |
1986.09.15 |
| 申请人 |
SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L. |
发明人 |
GUALANDRIS, FABIO |
| 分类号 |
H01L21/3065;H01L21/28;H01L21/302;H01L21/311;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/3065 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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