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发明名称
Self-aligned masking for ultra-high energy implants with application to localized buried implants and insolation structures
摘要
申请公布号
US5043292(A)
申请公布日期
1991.08.27
申请号
US19900531509
申请日期
1990.05.31
申请人
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人
ARONOWITZ, SHELDON;HART, COURTNEY L.;BUYNOSKI, MATTHEW
分类号
H01L21/266;H01L21/316;H01L21/74;H01L21/76;H01L21/762
主分类号
H01L21/266
代理机构
代理人
主权项
地址
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