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发明名称 Semiconductor device having compound semiconductor FET of E/D structure with high margin
摘要
申请公布号 US5043776(A) 申请公布日期 1991.08.27
申请号 US19900608039 申请日期 1990.11.02
申请人 NEC CORPORATION 发明人 HIDA, HIKARU
分类号 H01L21/8252;H01L27/06;H01L27/095 主分类号 H01L21/8252
代理机构 代理人
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