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发明名称 MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR WITH MEMORY CELL
摘要
申请公布号 KR910006507(B1) 申请公布日期 1991.08.27
申请号 KR19850002860 申请日期 1985.04.27
申请人 FUJITSU LTD. 发明人 TAKEMAE, YOSHIHIRO;NAKANO, TOMIO;NAKANO, MASAO;SATO, KIMIAKI
分类号 G11C11/401;G11C11/404;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;(IPC1-7):H01L29/94 主分类号 G11C11/401
代理机构 代理人
主权项
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