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<p>Ein Verfahren zum Herstellen eines integrierbaren, kapazitiven Drucksensors beinhaltet ausgehend von einem Halbleitersubstrat folgende Verfahrensschritte: Aufbringen einer Abstandshalterschicht (2), Abscheiden einer polykristallinen Halbleiterschicht (4), Dotieren der polykristallinen Halbleiterschicht (4) und Entfernen der Abstandshalterschicht (2) durch Ätzen. Um den Drucksensor für CMOS-Schaltungen kompatibel zu gestalten und die Messgenauigkeit zu erhöhen, wird erfindungsgemäss ein Halbleiterbereich (7) gegenüber dem Halbleitersubstrat (1) isoliert und eine Isolatorschicht (8) auf den isolierten Halbleiterbereich (7) aufgebracht, wobei die polykristalline Halbleiterschicht (4) auf der Isolatorschicht (2) oberhalb des isolierten Halbleiterbereiches (7) angeordnet wird.</p> |
