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发明名称 INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH03191577(A) 申请公布日期 1991.08.21
申请号 JP19890332003 申请日期 1989.12.20
申请人 NEC CORP 发明人 ITO TAKATOSHI
分类号 H01L29/78 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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