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摘要 <p>A mask for X-ray lithography is formed of a multilayer diaphragm with a patterned absorber layer on the diaphragm. The diaphragm includes a layer of magnesium and at least one intermediate layer.</p>
申请公布号 JPH0354456(B2) 申请公布日期 1991.08.20
申请号 JP19830159146 申请日期 1983.09.01
申请人 发明人
分类号 G03F1/22;G03F7/20;H01L21/027 主分类号 G03F1/22
代理机构 代理人
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