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发明名称 Method for manufacturing a thin-film transistor operable at high voltage
摘要
申请公布号 US5039622(A) 申请公布日期 1991.08.13
申请号 US19900607340 申请日期 1990.10.31
申请人 NEC CORPORATION 发明人 ISHIHARA, HIROYASU
分类号 H01L27/12;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786 主分类号 H01L27/12
代理机构 代理人
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