| 发明名称 |
DEFECT ANALYZING METHOD FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH03185342(A) |
申请公布日期 |
1991.08.13 |
| 申请号 |
JP19890323727 |
申请日期 |
1989.12.15 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
ENDO TAKEFUMI;FURUKAWA KATSUHIRO;ISHIHARA YUKIHITO |
| 分类号 |
G01R31/26;G01N21/17;G01N21/88;G01N21/956;G01R31/28;H01L21/66 |
主分类号 |
G01R31/26 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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