发明名称 CHIP INTERCONNECT WITH HIGH DENSITY OF VIAS
摘要 <p>Une interconnexion par soudure permettant la formation de connexions entre un premier et un second substrats (12, 14) comprend une pluralité de puits (16) contenant de la soudure s'étendant dans une surface plate (18) du premier substrat (12), la soudure (20) dans chaque puits (16) étant fixée à l'un d'une pluralité correspondante de plots conducteurs (22) s'étendant à l'extérieur d'une surface plate (23) du second substrat (14). La pluralité des puits (16) est créée selon une configuration, une aliquote de soudure (20) étant disposée dans chaque puits (16), le volume de l'aliquote n'étant pas plus grand que celui du puits (16) qu'elle occupe. Les plots (22) sont disposés en alignement avec la configuration des puits. On fait fondre la soudure, on y insère les plots (22), puis la soudure (20) se solidifie. On obtient ainsi la formation d'interconnexions rapprochées.</p>
申请公布号 WO9111833(A1) 申请公布日期 1991.08.08
申请号 WO1991US00359 申请日期 1991.01.17
申请人 COMMTECH INTERNATIONAL 发明人 MADOU, MARC, J.;GAISFORD, SCOTT
分类号 H01L21/98;H01L23/48;H01L23/498;H05K3/34 主分类号 H01L21/98
代理机构 代理人
主权项
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