| 发明名称 |
Process for the production of a field effect transistor using a lanthanum arsenide contact layer |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US5037770(A) |
申请公布日期 |
1991.08.06 |
| 申请号 |
US19900586504 |
申请日期 |
1990.09.21 |
| 申请人 |
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. |
发明人 |
WENNEKERS, PETER |
| 分类号 |
H01L29/812;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/338;H01L29/43;H01L29/45 |
主分类号 |
H01L29/812 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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