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发明名称 METHOD FOR HEAT TREATMENT OF GALLIUM ARSENIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER
摘要
申请公布号 JPH03173132(A) 申请公布日期 1991.07.26
申请号 JP19890313044 申请日期 1989.11.30
申请人 NEC CORP 发明人 MATSUMURA TAKAO
分类号 H01L21/324;H01L21/26 主分类号 H01L21/324
代理机构 代理人
主权项
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