| 发明名称 |
FORMATION OF PROTECTION LAYER ON IC |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH03171622(A) |
申请公布日期 |
1991.07.25 |
| 申请号 |
JP19900241058 |
申请日期 |
1990.09.11 |
| 申请人 |
TEXAS INSTR INC <TI> |
发明人 |
DEBITSUDO BII SUPURATSUTO;ROBAATO EICHI EKURUNDO |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/28;H01L21/285;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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