| 发明名称 | 一种提高晶体管性能的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种提高晶体管性能的新方法，能广泛应用于晶体管、集成电路的生产。本发明要点是在室温和真空中用A<SUB>r</SUB><SUP>+</SUP>束辐照管芯背面来提高或调节h<SUB>FE</SUB>和f<SUB>T</SUB>，它既完全克服了现有技术存在的缺点和问题，又能与常规生产工艺兼容，不仅能方便地调节或大幅度提高h<SUB>FE</SUB>和f<SUB>T</SUB>，又能保持晶体管的纵横结构参数和反向击穿特性不变。同时，易于避免杂质玷污，有利于产品稳定性的提高。 | ||
| 申请公布号 | CN1053322A | 申请公布日期 | 1991.07.24 |
| 申请号 | CN91100365.7 | 申请日期 | 1991.01.16 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 曾绍鸿;李观启;黄美浅;曾勇彪 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/322;H01L21/70 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 华南理工大学专利事务所 | 代理人 | 罗观祥 |
| 主权项 | 一种提高晶体管性能的方法，其特征在于：把晶体管管芯片，分别用甲苯、丙酮、无水乙醇等有机溶剂经超声波依次清洗并烘干，然后把芯片背面朝上放置入氩离子束镀膜刻蚀机的A+r离子束辐照区内工作台上，衬底为室温、关闭装片口密封闸门，把机内工作室抽真空至(4～6.65)×10-3Pa，开启充A+r气的电磁阀，充入高纯度氩气，使真空度为(2.7～4)×10-2Pa，用能量为300～950eV、束流为0.10～0.95mAcm-2的A+r束辐照10～90分钟。 | ||
| 地址 | 510641广东省广州市天河区五山 | ||