Circuit containing integrated bipolar and complementary MOS transistors on a common substrate,申请号US19890379108-传众专利搜索

发明名称	Circuit containing integrated bipolar and complementary MOS transistors on a common substrate
摘要
申请公布号	US5034338(A)	申请公布日期	1991.07.23
申请号	US19890379108	申请日期	1989.07.13
申请人	SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT	发明人	NEPPL, FRANZ;WINNERL, JOSEF
分类号	H01L21/331;H01L21/76;H01L21/763;H01L21/8249;H01L27/06;H01L29/73;H01L29/732;H01L29/78	主分类号	H01L21/331
代理机构		代理人
主权项
地址

您可能感兴趣的专利