发明名称 CIRCUIT DE MESURE DU COURANT DANS UN TRANSISTOR MOS DE PUISSANCE.
摘要 <P>La présente invention concerne un circuit de mesure du courant dans un transistor MOS de puissance (M0), comprenant des deuxième (M1) et troisième (M2) transistors en série de même type et de même technologie mais de plus petite surface que le transistor de puissance et disposés en parallèle sur celui-ci, ces deux transistors en série ayant leurs grilles connectées à la grille du transistor de puissance, et des moyens de mesure du courant dans celui des deux transistors (M2) qui est relié à l'électrode de référence du transistor de puissance.</P>
申请公布号 FR2656932(A1) 申请公布日期 1991.07.12
申请号 FR19900000401 申请日期 1990.01.09
申请人 SGS THOMSON MICROELECTRONICS SRL;SIEMENS AUTOMOTIVE SA 发明人 CINI CARLO;ROSSI DOMENICO;SIMON MARC
分类号 G01R19/00;G01R31/26;H03K17/08;H03K17/12 主分类号 G01R19/00
代理机构 代理人
主权项
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