测试随机存取记忆之高速写入方法

摘要

一种记忆（器）装置(DRAM)，揭示一改进的快速写入测试方法，其中一个记忆装置的记忆单元列中之所有记忆单元可以利用内部相同之资料或者外部相同资料来写入。位元线是以位元线B/L及__在整个记忆单元列中轮换安排以及一个字元线仅被连接到位元线（B/L或__）之其中之一型态，而且资料供应电路乃由一资料控制器来形成，此控制器依据被连接到所选择之字元线的位元线型态来控制输入／输出驱动器。