| 摘要 |
一种静电放电（ESD-electric static discharge）之防止装置系由Ｎ－通道闸极接地电晶体形成于一集体电路。此防止装置具有正如集体电路装置中其它Ｐ－及Ｎ－通道之电晶体然具有一聚矽闸门，但此防止装置矽化系定控制者故ESD事件之反效果可降至最低。并无矽化地区产生于此防止装置聚矽闸极之上部，亦无矽化接近闸极及闸极自行对准之源极／汲极区域如其它由CMOS制程所制造之电晶体所具有者。接近闸极防止电晶体之矽化系藉使用熔敷之氧化层作为遮护而防止，而此氧化层亦用以产生对电晶体闸极之侧壁垫片。此种侧壁垫片系用以产生跨越源极／汲极区域之自行对准之矽化地区；除防止电晶体之外与所有之Ｐ－及Ｎ－通道电晶体之闸极自行对准。对制造具有自行对准之矽化源极／汲极地区之CMOS集体电路之一种标准制程，可与增加仅含一个以阻止防止电晶体矽化之非临界遮护步骤相使用。 |
